WAT测试结构通常包含该工艺平台所有的有源器件和无源器件，例如方块电阻通孔接触电阻、电容阻值、金属导线电阻、MOS晶体管等。根据CMOS工艺技术平台的特点，可以把WAT测试类型分为八大类：MOS晶体管、栅氧化层的完整性、多晶硅栅场效应晶体管（Poly Field Device）和第1层金属栅场效应晶体管（Metal 1 Field Device）、N型结(N-diode结构)和P型结（P-diode结构）、金属电容（MIM Capacitor）和多晶硅电容（PIP Capacitor）、方块电阻Rs（Sheet Resistance）、接触电阻Re（Contact Resistance）和隔离等。

WAT测试类型

WAT测试参数可以分为以下八大类：

①MOS晶体管包括低压NMOS和PMOS，以及中亚NMOS和PMOS的参数：

阈值电压（Vt）、饱和电流（Idsat）、源漏击穿电压（BVD）、漏电流（Ioff）、衬底电流（Isub）

②栅氧化层完整性（Gate Oxide Integrity -GOI）的参数：

GOI电容（Cgox）、GOI击穿电流（BVgox）、GOI电性厚度（Tgox）

③多晶硅栅场效应晶体管和第1层金属栅场效应晶体管的参数：

多晶硅栅Vt Poly Field、第1层金属栅Vt M1 Field

④N型结和P型结的参数：

结电容Cjun、结击穿电压BCjun

⑤方块电阻Rs的参数：

N型多晶硅金属硅化物方块电阻（Rs NPoly）、N型多晶硅非金属硅化物方块电阻（Rs Npoly SAB、）P型多晶硅金属硅化物方块电阻（Rs PPoly）、N型多晶硅非金属硅化物方块电阻（Rs Ppoly SAB、）NW方块电阻（Rs NW）、PW方块电阻（Rs PW）、N型有源区金属硅化物方块电阻（Rs NAA）、N型有源区非金属硅化物方块电阻（Rs NAA SAB）、P型有源区金属硅化物方块电阻（Rs PAA）、P型有源区非金属硅化物方块电阻（Rs PAA SAB）、金属方块电阻（Rs M1，Rs M2和Rs M3）

⑥接触电阻Re的参数:

N型多晶硅接触电阻（Rc Npoly）、P型多晶硅接触电阻（Rc PPoly）、通孔接触电阻（Rc VIA1，Rc VIA2和Rc VIA3）、N型有源区接触电阻（Rc NAA）、P型有源区接触电阻（Rc PAA）

⑦隔离的参数:

N型多晶硅击穿电压（BV Npoly）、P型多晶硅击穿电压（BV PPoly）、金属击穿电压（BV M1，BV M2和BV M3）、N型有源区接触电阻（Rc NAA）、P型有源区接触电阻（Rc PAA）

⑧金属电容和多晶硅电容的参数：

电容CMIM、击穿电压BVMIM、电容CPIP、击穿电压BVPIP