你知道吗？你手上的芯片，被扎过针，被电击，可能还被高低温烘烤冷冻；每一颗交付到您手上，经过了严格的测试筛选，尤其车规芯片，整体的测试覆盖项和卡控指标更加严格。

       芯片设计好，晶圆厂进行生产的过程，是化学反应和物理操作的过程（晶圆工艺），不同晶圆厂的工艺成熟度，性能不一样，可能导致芯片的功能、性能差别，不一定能够满足客户需求（比如功耗需求，电气特性需求等），因此要设计测试方案，把不符合要求的剔除出来。

       芯片测试一般会分2大步骤，一个叫CP(Chip Probing)，一个叫FT(Final Test)。CP是针对晶圆的测试，FT是针对封装好的芯片的测试，流程如下：

       FT是针对封装好芯片的测试，因此芯片的引线，基板，封装材料这些已完成，如果晶圆DIE是坏的，那就浪费了。
CP测试的目的，就是在封装前就把坏的芯片DIE筛选出来。
       如下是晶圆的不同区域对应的Yield Rate（良率），可以看到越靠晶圆旁边的位置，良率越低。

       CP和FT在不同阶段，其测试对象不同，测试工具的差异带来的限制，测试侧重点会不一样。CP测试阶段会尽可能覆盖对良率影响大的用例，比如短路，逻辑功能，内部存储；CP因为采用了探针，对于高速信号，小信号，大电流方面的测试，一般不合适，会放到FT去测试；

       如下是CP测试示意图，测试用探针卡，从ATE测试设备上显微镜看到的具体操作图片，以及正在操作的ATE设备。ATE设备基于编写好的程序（测试用例），对晶圆上的每一颗芯片进行测试，这里探针的移动距离在0.Xum级别一般。

       而FT部分，大家可能会更加好理解，因为平时大家做测试板的类似，主要区别可能就是FT测试用Socket座子(因为测试完成要取出来)，为了提高效率，一个测试板上可以放很多这样的Socket座子。

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