针对功率器件的封装结构，国内外研究机构和 企业在结构设计方面进行了大量的理论研究和开 发实践，多种结构封装设计理念被国内外研究机构 提出并研究，一些结构设计方案已成功应用在 商用功率器件上。

功率器件自身的属性及其特殊的服役环境决 定了封装器件内部总是受到电场、热以及应力等多 种场效应相互耦合的综合作用。功率器件的结 构设计，应首先要满足电气绝缘要求，在此基础上 兼顾结构设计对封装散热、芯片及封装各部件间受 力等其他方面的影响。从器件散热的角度，封装结 构设计应当遵循散热路径低热阻、尽可能多散热路 径和传热路径上的接触面积尽可能大的原则。这就 要求在设计之初，就应考虑到封装材料的选择、散 热路径的设计、散热路径上各部件接触界面的面积 等。但这些不可避免的增加了封装设计和工艺实现 的难度，一种功率器件的封装实践往往是考虑多种 因素的折中。从目前国内外对于功率器件的研究 和开发现状来看，具备耐高温、多散热路径和大面积连接的封装特征是未来功率器件封 装的发展趋势，也是满足未来高压、大功率器件工 作性能要求的必然选择。

目前传统 Si 基芯片的最高结温不超过 175℃，温度循环的范围最大不超过200℃。相比 Si 器件， SiC 器件在导通损耗、开关频率和具有高温运行能力方面具有明显的优势，最高理论工作结温更是高达 600℃。SiC宽禁带半导体功率器件更高的开关频率，可以降低无源器件的重量，占用的封装体积也更小，因此可以提高功率器件的功率密度，同时 SiC 器件具有更高的热导率，可以更高效的把芯片耗散热排出。从器件封装结构散热路径的角度可以将功率器件分为以下：

（1）封装结构单面散热：键合线类单面散热、无键合线单面散热

（2）封装结构双面散热：单基板双面散热、双基板双面散热、无基板双面散热

（3）结构多面散热

目前多面散热封装器件的研究和开发 还比较少，高压方面仅限于二极管，低压方面已有 SiC MOSFET的封装尝试。功 率器件的封装，最终呈现的是多因素的综合，在拓 展散热路径的同时，满足封装绝缘要求是至关重要 的。面对器件高压大功率的发展趋势，高绝缘和高 散热能力是未来器件封装需要考虑的首要因素。

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