磁阻随机存取存储器 (MRAM) 是一种非易失性 (Non-Volatile) 的磁性随机存储器，它依赖于两个铁磁层的（相对）磁化状态来存储二进制信息。它拥有静态随机存储器 (SRAM) 的高速读取写入能力, 以及动态随机存储器 (DRAM) 的高集成度, 而且基本上可以无限次地重复写入. MRAM作为新型NVM的一种，具有接近零的静态功耗，较高的读写速度，与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺相兼容等优点，在车用电子与穿戴设备等领域已实现商业化应用。

         12寸存储器 MRAM 技术封装后的器件需要在 -40 °C 至 125°C 进行快速高低温冲击测试。中冷低温科技研发的ThermoTST TS760高低温循环测试系统的典型温度转换率: -55 ºC 至 + 125 ºC 约10秒，满足 MRAM 的研发测试要求，同时可应用于产品的特性分析、高低温温变测试、温度冲击测试、失效分析等可靠性试验，如：芯片、微电子器件、集成电路（SOC、FPGA、PLD、MCU、ADC/DAC、DSP等）闪存Flash、UFS、eMMC、PCBs、MCMs、MEMS、IGBT、传感器、小型模块组件、光通讯（如：收发器 Transceiver 高低温测试、SFP 光模块高低温测试等）、其它电子行业、航空航天新材料、实验室研究。

ThermoTST TS760高低温循环测试系统主要技术参数：  

温度范围: -70 ºC 至 + 225 ºC
典型温度转换率: -55 ºC 至 + 125 ºC 约10秒

输出气流量: 4 至 18 scfm
温度精度: ±1℃

显示精度: ±0.1℃

出气流量：4 ~ 18 SCFM（1.9L/s ~ 8.5L/S）
温度控制: 内部：TC，远程/外部：T， K

与传统高低温测试箱对比, ThermoTST TS760高低温循环测试系统主要优势：
1. 升降温速率非常迅速，-55℃～125℃约10秒。
2. 温控精度：±1℃。
3. 可以进行IC的在线式测试，实时监测出温度冲击所带来的性能变化。
4. 如果一块PCB板上有很多元器件，但你只需要针对其中的某一个IC 单独进行高低温冲击而不影响周边其它元器件
5. 对测试机平台load board上的IC进行温度循环或冲击；传统温箱无法针对此类测试。6. 可以针对整块PCB板提供温度环境或高低温冲击。