芯片测试几乎都离不开温度冲击试验，IGBT芯片更是要经过无数次的可靠性试验才能保证安全高效的投放使用，IGBT需要用温度冲击试验机做一些环境可靠性试验。常见的工业级IGBT可靠性试验包含但不限于以下项目：

    （1）HTRB（高温反偏）试验：HTRB试验用于验证稳定情况下IGBT的漏电指标可靠性。HTRB试验主要考核焦点是IGBT芯片边缘结构和钝化层，以及与生产相关的离子污染物。在HTRB试验过程中一般可以监测到漏电流随时间的变化。

    （2）HTGB（高温栅极反偏）试验：HTGB试验用于验证在电和热负载下栅极漏电流的稳定性。HTGB试验主要考核的焦点是IGBT的栅极氧化层的完整性及移动离子污染。建议在试验中，持续监测栅极的漏电流和栅极开通电压，若这两项参数超出指定规格，则认为模块将不能通过此项测试。

    （3）H3TRB（高温高湿反偏）试验：H3TRB试验用于测试湿度对功率器件长期特性的影响。H3TRB试验的焦点是IGBT的钝化层及芯片表面缺陷，包括整个器件结构中的薄弱环节。值得注意的是，在H3TRB试验后立即测量漏电流有可能出现漏电超标的情况，其原因是大多数模块设计不是完全密封，水汽也可以随着时间到达钝化层，导致试验后漏电超差。因此，可以对器件烘烤2h～24h并恢复常温24h后，再测试器件的漏电流，验证水汽入侵的可能性。

    （4）TST（温度冲击）试验：TST试验主要验证IGBT在被动温度变化的情况下对机械应力的抵抗能力。TST试验考核焦点是IGBT模块的封装、基板与DCB间的连接。

    （5）TC（温度循环）试验： TC试验用于模拟外界温度变化对IGBT的影响，验证器件或模块的整体结构和材料。尤其是IGBT功率模块由不同的材料组成一个系统，当受热和冷却时，不同材料的热膨胀系数差异大，两种界面在受热或冷却过程中所受的机械应力就越大。TC试验的焦点是IGBT芯片与DCB、DCB与基板之间的连接。

    （6）PC（功率循环）试验：功率循环有秒级功率循环（PCsec）和分钟级功率循环（PCmin）两种，测试时通过芯片自身工作电流进行主动加热芯片至目标温度，然后关断电流，冷却到指定温度。秒级功率循环试验主要考核近芯片端连接的可靠性；分钟级功率循环试验主要考核近芯片端和远芯片端连接的可靠性。

    中冷低温科技研发的ThermoTST 580拥有广泛的温度范围-80℃到+225℃，温度转换从-55℃到+125℃之间转换约10秒，能满足IGBT温度冲击试验的要求。同时也能做特性分析、高低温温变测试、失效分析等可靠性试验，如：芯片、微电子器件、集成电路（SOC、FPGA、PLD、MCU、ADC/DAC、DSP等）闪存Flash、UFS、eMMC、PCBs、MCMs、MEMS、IGBT、传感器、小型模块组件、光通讯（如：收发器 Transceiver 高低温测试、SFP 光模块高低温测试等）其它电子行业、航空航天新材料、实验室研究。

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