SiC器件技术的应用发展及可靠性测试
2022-11-24 13:43:57

一 、碳化硅(SiCk)源于材料特性的益处:

①阻断电压更高,导通电阻更低

②在高压中以单极性工作→降低功率损耗,提高效率

③在高压中高速开关运作→简化系统设计

④更高的抗宇宙射线故障能力

二、CoolSiCTM MOSFET碳化硅的好处和目标应用:

半导体设计的持续发展趋势,是在降低开关损耗的基础上,提高功率密度,从而使用更小的散热器,同时提高工作频率,缩小磁性元件尺寸。

三、节能及系统集成度推动电力电子应用的发展

1、采用现代沟槽CoolSiCTM技术带来了新机遇

平面DMOS:在导通状态下,需要在性能及栅极氧化层可靠性之间作取舍;

沟槽Trench:在不违反栅极氧化层可靠性的条件下,更容易达到性能要求。

在相当于IGBT的可靠性水平时达到**的Rdson

2、CoolSiCTM   MOSFE具有与Si IGBT接近的氧化层可靠性:

①与现有的SiC MOSFET相比,具有出色的可靠性;

②可靠性接近Si IGBT

 

四、扩展可靠性测试及应用相关测试

①当前标准中的可靠性测试不足以满足未来户外应用的要求;

②测试新型SiC沟道MOSFET使用高于这些标准的可靠性测试及应用相关测试;

③进行了静态和动态测试。

 

          中冷低温科技研发的ThermoTST TS-780高低温冲击气流仪的性能达到了极高的标准。能够应用于特性分析、高低温温变测试、温度冲击测试、失效分析等可靠性试验如:IGBT的试验也可以使用该气流仪,不仅如此,这些也同样可用TS-780做测试:芯片、微电子器件、集成电路(SOC、FPGA、PLD、MCU、ADC/DAC、DSP等);闪存Flash、UFS、eMMC;PCBs、MCMs、MEMS、传感器、小型模块组件;光通讯(如:收发器 Transceiver 高低温测试、SFP 光模块高低温测试等);以及其它电子行业、航空航天新材料、实验室研究。TS-780温度转换从-55℃到+125℃之间转换约10秒,并有更广泛的温度范围-80℃到+225℃;经长期的多工况验证,能满足更多生产环境和工程环境的要求。TS-780是纯机械制冷,无需液氮或任何其他消耗性制冷剂,温度转换速率快,·温控精度±1℃,显示精度±0.1℃,气流量可高达18SCFM,用TS-780做可靠性试验不仅减少了器件潜在的各种误差及失效机制,还有效地控制和保证器件的可靠性。